Top.Mail.Ru

Вы здесь

Вы здесь

Тема диссертации: Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей

Номер совета: 
ФИО защищающегося: 
Арустамян Давид Арсенович
Специальность: 
01.04.07 – Физика конденсированного состояния
Степень: 
Кандидатская
Отрасль науки: 
физико-математические науки
Дата защиты: 
22 ноября 2017

Ведущая организация

Полное наименование: 
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Сокращенное наименование: 
ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Место нахождения: 
г. Санкт-Петербург
Почтовый адрес: 
194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26
Телефон: 
(812) 297-2245
Email: 
post@mail.ioffe.ru
Список научных трудов сотрудников ведущей организации по теме диссертации: 
Отзыв ведущей организации: 

Научный руководитель / консультант

ФИО: 
Лунин Леонид Сергеевич
Степень: 
Доктор физико-математических наук
Звание: 
Профессор
Должность: 
Профессор

Оппоненты

Номер: 
1.
Официальный оппонент
ФИО: 
Бавижев Михаил Данильевич
Степень: 
Доктор физико-математических наук
Звание: 
профессор
Должность: 
вице-президент
Место работы: 
Акционерное Общество Научно-производственное предприятие “Радий”
Номер: 
2.
Официальный оппонент
ФИО: 
Вербенко Илья Александрович
Степень: 
Доктор физико-математических наук
Должность: 
директор
Место работы: 
Южный Федеральный Университет, научно-исследовательский институт физики